Tranzistor N-MOSFET, capsula D2PAK, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R080P7ATMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T122699
-
32,08lei
- Fără TVA:26,95lei
-
- 5 sau mai multe 21,30lei
- 10 sau mai multe 20,15lei
- 500 sau mai multe 19,05lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula D2PAK, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R080P7ATMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: D2PAK
Montare: SMD
Putere disipata: 129W
Curent drena: 23A
Caracteristici
| Carcasa | D2PAK |
| Curent drena | 23A |
| Incarcatura poarta | 51nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 80mΩ |
| Subtip ambalaj | rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 600V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |