Tranzistor N-MOSFET, capsula D2PAK, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R060P7ATMA1

Distribuie
  • 35,28lei

  • Fără TVA:29,65lei

  • 4 sau mai multe 26,83lei
  • 8 sau mai multe 25,38lei
  • 50 sau mai multe 25,02lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula D2PAK, INFINEON TECHNOLOGIES - IPB60R060P7ATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 600V

Capsula: D2PAK

Montare: SMD

Putere disipata: 164W

Curent drena: 30A

Caracteristici
Carcasa D2PAK
Curent drena 30A
Incarcatura poarta 67nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 60mΩ
Subtip ambalaj rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 600V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha