Tranzistor N-MOSFET, capsula CanPAK™ M, MG-WDSON-2, INFINEON TECHNOLOGIES - BSB028N06NN3GXUMA1
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T121804
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula CanPAK™ M, MG-WDSON-2, INFINEON TECHNOLOGIES - BSB028N06NN3GXUMA1
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 60V
Capsula: CanPAK™ M, MG-WDSON-2
Montare: SMD
Putere disipata: 78W
Curent drena: 90A
Caracteristici
Carcasa | CanPAK™ M, MG-WDSON-2 |
Curent drena | 90A |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 2.8mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 60V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |