Tranzistor N-JFET, capsula SOT23, ON SEMICONDUCTOR - MMBFJ309LT1G

Distribuie
  • 2,23lei

  • Fără TVA:1,87lei

  • 10 sau mai multe 1,72lei
  • 25 sau mai multe 1,58lei
  • 50 sau mai multe 1,45lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (5798 buc.)

Tranzistor N-JFET, capsula SOT23, ON SEMICONDUCTOR - MMBFJ309LT1G

Tip tranzistor: unipolar, N-JFET

Tensiune drena-sursa: 25V

Capsula: SOT23

Montare: SMD

Putere disipata: 225mW

Curent drena: 30mA

Caracteristici
Carcasa SOT23
Curent de poarta 10mA
Curent drena 30mA
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Subtip ambalaj bandă, rolă
Tensiune drena-sursa 25V
Tensiune poarta-sursa 25V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha