Tranzistor N-MOSFET, Infineon Technologies, SPD30N03S2L10GBTMA1, T124083

Distribuie
  • 3,40lei

  • Fără TVA:2,86lei

  • 5 sau mai multe 3,08lei
  • 14 sau mai multe 2,48lei
  • 80 sau mai multe 2,34lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES, SPD30N03S2L10GBTMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 30V

Capsula: PG-TO252-3

Montare: SMD

Putere disipata: 100W

Curent drena: 30A

Caracteristici
Carcasa PG-TO252-3
Curent drena 30A
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 10mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 30V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha

Etichete: Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TO252-3, INFINEON TECHNOLOGIES, SPD30N03S2L10GBTMA1