Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, VISHAY, SI2302DDS-T1-GE3, T123970

  • Producător Vishay
  • Cod produs:T123970
Distribuie
  • 2,97lei

  • Fără TVA:2,49lei

  • 10 sau mai multe 2,23lei
  • 25 sau mai multe 1,69lei
  • 100 sau mai multe 1,34lei
  • Disponibilitate:În Stoc (4733 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, VISHAY, SI2302DDS-T1-GE3

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 20V

Capsula: SOT23

Montare: SMD

Putere disipata: 0.46W

Curent drena: 2.1A

Caracteristici
Carcasa SOT23
Curent drena 2.1A
Incarcatura poarta 3.5nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 57mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 20V
Tensiune poarta-sursa ±8V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha

Etichete: Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, VISHAY, SI2302DDS-T1-GE3