Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, ON SEMICONDUCTOR, FDS8813NZ, T122545

Distribuie
  • 11,12lei

  • Fără TVA:9,35lei

  • 5 sau mai multe 9,68lei
  • 11 sau mai multe 8,69lei
  • 25 sau mai multe 8,22lei
  • Disponibilitate:În Stoc (2 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, ON SEMICONDUCTOR, FDS8813NZ

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 30V

Capsula: SO8

Montare: SMD

Putere disipata: 2.5W

Curent drena: 18.5A

Caracteristici
Carcasa SO8
Curent drena 18.5A
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 6.6mΩ
Tensiune drena-sursa 30V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha

Etichete: Tranzistor N-MOSFET, capsula SO8, ON SEMICONDUCTOR, FDS8813NZ