Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES, BSC035N10NS5ATMA1, T124579

Distribuie
  • 10,73lei

  • Fără TVA:8,87lei

  • 5 sau mai multe 9,50lei
  • 13 sau mai multe 7,99lei
  • 29 sau mai multe 7,57lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (4163 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES - BSC035N10NS5ATMA1

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: PG-TDSON-8

Montare: SMD

Putere disipata: 156W

Curent drena: 100A

Caracteristici
Carcasa PG-TDSON-8
Curent drena 100A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 3.5mΩ
Tensiune drena-sursa 100V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha

Etichete: Tranzistor N-MOSFET, capsula PG-TDSON-8, INFINEON TECHNOLOGIES, BSC035N10NS5ATMA1