Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, uDFN6, TOSHIBA - SSM6J511NU,LF(T

  • Producător Toshiba
  • Cod produs:T255063
Distribuie
  • 2,02lei

  • Fără TVA:1,70lei

  • 25 sau mai multe 1,58lei
  • 84 sau mai multe 1,24lei
  • 195 sau mai multe 1,17lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, uDFN6, TOSHIBA - SSM6J511NU,LF(T

Tip tranzistor: P-MOSFET

Capsula: uDFN6

Polarizare: unipolar

Montare: SMD

Tensiune drena-sursa: -12V

Curent drena: -14A

Putere disipata: 1.25W

Rezistenta in timpul functionarii: 19.2mΩ

Tensiune poarta-sursa: ±10V

Producator: TOSHIBA

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa uDFN6
Curent drena -14A
Incarcatura poarta 47nC
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 19.2mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa -12V
Tensiune poarta-sursa ±10V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha