Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, X2-DFN0806-3, DIODES INCORPORATED - DMP1555UFA-7B

Distribuie
  • 1,36lei

  • Fără TVA:1,14lei

  • 10 sau mai multe 1,08lei
  • 30 sau mai multe 0,84lei
  • 100 sau mai multe 0,61lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, X2-DFN0806-3, DIODES INCORPORATED - DMP1555UFA-7B

Tip tranzistor: P-MOSFET

Capsula: X2-DFN0806-3

Polarizare: unipolar

Montare: SMD

Tensiune drena-sursa: -12V

Curent drena: -0.2A

Putere disipata: 0.36W

Rezistenta in timpul functionarii: 5Ω

Tensiune poarta-sursa: ±8V

Producator: DIODES INCORPORATED

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa X2-DFN0806-3
Curent drena -0.2A
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa -12V
Tensiune poarta-sursa ±8V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha