Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, X1-DFN1006-3, DIODES INCORPORATED - DMP56D0UFB-7B

Distribuie
  • 0,00lei

  • Fără TVA:0,00lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, X1-DFN1006-3, DIODES INCORPORATED - DMP56D0UFB-7B

Tip tranzistor: P-MOSFET

Capsula: X1-DFN1006-3

Polarizare: unipolar

Montare: SMD

Tensiune drena-sursa: -50V

Curent drena: -0.2A

Putere disipata: 0.425W

Rezistenta in timpul functionarii: 6Ω

Tensiune poarta-sursa: ±8V

Producator: DIODES INCORPORATED

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa X1-DFN1006-3
Curent drena -0.2A
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa -50V
Tensiune poarta-sursa ±8V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha