Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, X1-DFN1006-3, DIODES INCORPORATED - DMP32D4SFB-7B

Distribuie
  • 1,61lei

  • Fără TVA:1,35lei

  • 10 sau mai multe 1,23lei
  • 25 sau mai multe 0,97lei
  • 100 sau mai multe 0,66lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, X1-DFN1006-3, DIODES INCORPORATED - DMP32D4SFB-7B

Tip tranzistor: P-MOSFET

Capsula: X1-DFN1006-3

Polarizare: unipolar

Montare: SMD

Tensiune drena-sursa: -30V

Curent drena: -0.4A

Putere disipata: 0.5W

Rezistenta in timpul functionarii: 2.4Ω

Tensiune poarta-sursa: ±20V

Producator: DIODES INCORPORATED

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa X1-DFN1006-3
Curent drena -0.4A
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 2.4Ω
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa -30V
Tensiune poarta-sursa ±20V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha