Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, PowerPAK® 1212-8, VISHAY - SISS23DN-T1-GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T255010
-
7,02lei
- Fără TVA:5,81lei
-
- 10 sau mai multe 5,54lei
- 37 sau mai multe 2,98lei
- 50 sau mai multe 2,98lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (8495 buc.)
Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, PowerPAK® 1212-8, VISHAY - SISS23DN-T1-GE3
Tip tranzistor: P-MOSFET
Capsula: PowerPAK® 1212-8
Polarizare: unipolar
Montare: SMD
Tensiune drena-sursa: -20V
Curent drena: -50A
Putere disipata: 36W
Rezistenta in timpul functionarii: 4.5mΩ
Tensiune poarta-sursa: ±8V
Producator: VISHAY
Caracteristici
| Carcasa | PowerPAK® 1212-8 |
| Curent de drena in impuls | -200A |
| Curent drena | -50A |
| Incarcatura poarta | 300nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 4.5mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | -20V |
| Tensiune poarta-sursa | ±8V |