Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, PowerPAK® 1212-8, VISHAY - SISS23DN-T1-GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T255010
-
7,44lei
- Fără TVA:6,26lei
-
- 10 sau mai multe 5,20lei
- 37 sau mai multe 2,90lei
- 85 sau mai multe 2,74lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (8500 buc.)
Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, PowerPAK® 1212-8, VISHAY - SISS23DN-T1-GE3
Tip tranzistor: P-MOSFET
Capsula: PowerPAK® 1212-8
Polarizare: unipolar
Montare: SMD
Tensiune drena-sursa: -20V
Curent drena: -50A
Putere disipata: 36W
Rezistenta in timpul functionarii: 4.5mΩ
Tensiune poarta-sursa: ±8V
Producator: VISHAY
Caracteristici
| Carcasa | PowerPAK® 1212-8 |
| Curent de drena in impuls | -200A |
| Curent drena | -50A |
| Incarcatura poarta | 300nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 4.5mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | -20V |
| Tensiune poarta-sursa | ±8V |