Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, PowerPAK® 1212-8, VISHAY - SISS05DN-T1-GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T255009
-
9,69lei
- Fără TVA:8,15lei
-
- 5 sau mai multe 8,60lei
- 14 sau mai multe 7,59lei
- 32 sau mai multe 7,19lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2760 buc.)
Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, PowerPAK® 1212-8, VISHAY - SISS05DN-T1-GE3
Tip tranzistor: P-MOSFET
Capsula: PowerPAK® 1212-8
Polarizare: unipolar
Montare: SMD
Tensiune drena-sursa: -30V
Curent drena: -86.6A
Putere disipata: 42W
Rezistenta in timpul functionarii: 5.8mΩ
Tensiune poarta-sursa: -20...16V
Producator: VISHAY
Caracteristici
| Carcasa | PowerPAK® 1212-8 |
| Curent de drena in impuls | -300A |
| Curent drena | -86.6A |
| Incarcatura poarta | 115nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 5.8mΩ |
| Subtip ambalaj | bandă, rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | -30V |
| Tensiune poarta-sursa | -20...16V |