Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, PowerPAK® 1212-8, VISHAY - SI7617DN-T1-GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T254983
-
6,59lei
- Fără TVA:5,54lei
-
- 10 sau mai multe 5,31lei
- 24 sau mai multe 4,44lei
- 54 sau mai multe 4,20lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2878 buc.)
Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, PowerPAK® 1212-8, VISHAY - SI7617DN-T1-GE3
Tip tranzistor: P-MOSFET
Capsula: PowerPAK® 1212-8
Polarizare: unipolar
Montare: SMD
Tensiune drena-sursa: -30V
Curent drena: -13.9A
Putere disipata: 33W
Rezistenta in timpul functionarii: 12.3mΩ
Tensiune poarta-sursa: ±25V
Producator: VISHAY
Caracteristici
Carcasa | PowerPAK® 1212-8 |
Curent de drena in impuls | -60A |
Curent drena | -13.9A |
Incarcatura poarta | 59nC |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 12.3mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | -30V |
Tensiune poarta-sursa | ±25V |