Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, PowerPAK® 1212-8, VISHAY - SI7617DN-T1-GE3
- Producător Vishay
- Cod produs:T254983
-
6,66lei
- Fără TVA:5,60lei
-
- 10 sau mai multe 5,39lei
- 24 sau mai multe 4,47lei
- 55 sau mai multe 4,24lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2845 buc.)
Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, PowerPAK® 1212-8, VISHAY - SI7617DN-T1-GE3
Tip tranzistor: P-MOSFET
Capsula: PowerPAK® 1212-8
Polarizare: unipolar
Montare: SMD
Tensiune drena-sursa: -30V
Curent drena: -13.9A
Putere disipata: 33W
Rezistenta in timpul functionarii: 12.3mΩ
Tensiune poarta-sursa: ±25V
Producator: VISHAY
Caracteristici
| Carcasa | PowerPAK® 1212-8 |
| Curent de drena in impuls | -60A |
| Curent drena | -13.9A |
| Incarcatura poarta | 59nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 12.3mΩ |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | -30V |
| Tensiune poarta-sursa | ±25V |