Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, PowerDI®3333-8, DIODES INCORPORATED - DMP3013SFV-7

Distribuie
  • 1,64lei

  • Fără TVA:1,38lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2000 buc.)

Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, PowerDI®3333-8, DIODES INCORPORATED - DMP3013SFV-7

Tip tranzistor: P-MOSFET

Capsula: PowerDI®3333-8

Polarizare: unipolar

Montare: SMD

Tensiune drena-sursa: -30V

Curent drena: -10A

Putere disipata: 0.94W

Rezistenta in timpul functionarii: 0.0095Ω

Tensiune poarta-sursa: ±25V

Producator: DIODES INCORPORATED

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa PowerDI®3333-8
Curent de drena in impuls -80A
Curent drena -10A
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.0095Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa -30V
Tensiune poarta-sursa ±25V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha