Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, PowerDI®3333-8, DIODES INCORPORATED - DMP2008UFG-7

Distribuie
  • 3,28lei

  • Fără TVA:2,76lei

  • 10 sau mai multe 2,40lei
  • 50 sau mai multe 2,13lei
  • 73 sau mai multe 1,41lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, PowerDI®3333-8, DIODES INCORPORATED - DMP2008UFG-7

Tip tranzistor: P-MOSFET

Capsula: PowerDI®3333-8

Polarizare: unipolar

Montare: SMD

Tensiune drena-sursa: -20V

Curent drena: -11A

Putere disipata: 2.4W

Rezistenta in timpul functionarii: 0.008Ω

Tensiune poarta-sursa: ±8V

Producator: DIODES INCORPORATED

Caracteristici
Carcasa PowerDI®3333-8
Curent de drena in impuls -80A
Curent drena -11A
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.008Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa -20V
Tensiune poarta-sursa ±8V

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha