Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, DFN2020-6, YANGJIE TECHNOLOGY - YJQ4666B
- Producător Yangjie Technology
- Cod produs:T255126
-
0,65lei
- Fără TVA:0,54lei
-
- 100 sau mai multe 0,50lei
- 270 sau mai multe 0,39lei
- 500 sau mai multe 0,39lei
- Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (3220 buc.)
Tranzistor canal P, SMD, P-MOSFET, DFN2020-6, YANGJIE TECHNOLOGY - YJQ4666B
Tip tranzistor: P-MOSFET
Capsula: DFN2020-6
Polarizare: unipolar
Montare: SMD
Tensiune drena-sursa: -16V
Curent drena: -5.6A
Putere disipata: 2.2W
Rezistenta in timpul functionarii: 60mΩ
Tensiune poarta-sursa: ±10V
Producator: YANGJIE TECHNOLOGY
Caracteristici
| Carcasa | DFN2020-6 |
| Curent de drena in impuls | -28A |
| Curent drena | -5.6A |
| Incarcatura poarta | 7.2nC |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 60mΩ |
| Subtip ambalaj | bandă, rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | -16V |
| Tensiune poarta-sursa | ±10V |