Tranzistor N-MOSFET x2, capsula SO8, INFINEON TECHNOLOGIES - IRF8915TRPBF
- Producător Infineon Technologies
- Cod produs:T123132
-
0,00lei
- Fără TVA:0,00lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET x2, capsula SO8, INFINEON TECHNOLOGIES - IRF8915TRPBF
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET x2
Tensiune drena-sursa: 20V
Capsula: SO8
Montare: SMD
Putere disipata: 2W
Curent drena: 7.1A
Caracteristici
Carcasa | SO8 |
Curent de drena in impuls | 71A |
Curent drena | 7.1A |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 18.3mΩ |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 20V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |