Tranzistor N-MOSFET, capsula X2-DFN0806-3, DIODES INCORPORATED - DMN2990UFA-7B

Distribuie
  • 3,27lei

  • Fără TVA:2,75lei

  • 10 sau mai multe 2,51lei
  • 25 sau mai multe 1,99lei
  • 50 sau mai multe 1,63lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula X2-DFN0806-3, DIODES INCORPORATED - DMN2990UFA-7B

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 20V

Capsula: X2-DFN0806-3

Montare: SMD

Putere disipata: 0.4W

Curent drena: 0.33A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa X2-DFN0806-3
Curent drena 0.33A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 2.4Ω
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 20V
Tensiune poarta-sursa ±8V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha