Tranzistor N-MOSFET, capsula X1-DFN1006-3, DIODES INCORPORATED - DMN2300UFB4-7B
- Producător Diodes Incorporated
- Cod produs:T122310
-
2,40lei
- Fără TVA:1,98lei
-
- 10 sau mai multe 1,60lei
- 50 sau mai multe 1,11lei
- 100 sau mai multe 0,95lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula X1-DFN1006-3, DIODES INCORPORATED - DMN2300UFB4-7B
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 20V
Capsula: X1-DFN1006-3
Montare: SMD
Putere disipata: 0.5W
Curent drena: 0.96A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
| Carcasa | X1-DFN1006-3 |
| Curent drena | 0.96A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 0.5Ω |
| Subtip ambalaj | bandă, rolă |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 20V |
| Tensiune poarta-sursa | ±8V |
| Tip produs | Datalogger |