Tranzistor N-MOSFET, capsula VSONP8 5x6mm, TEXAS INSTRUMENTS - CSD19531Q5AT

Distribuie
  • 13,74lei

  • Fără TVA:11,55lei

  • 5 sau mai multe 12,63lei
  • 9 sau mai multe 10,05lei
  • 21 sau mai multe 9,52lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (326 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula VSONP8 5x6mm, TEXAS INSTRUMENTS - CSD19531Q5AT

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: VSONP8 5x6mm

Montare: SMD

Putere disipata: 125W

Curent drena: 100A

Caracteristici
Carcasa VSONP8 5x6mm
Curent drena 100A
Incarcatura poarta 37nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 5.3mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Tensiune drena-sursa 100V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha