Tranzistor N-MOSFET, capsula TSOT26, DIODES INCORPORATED - DMN10H170SVTQ-7

Distribuie
  • 4,16lei

  • Fără TVA:3,50lei

  • 10 sau mai multe 2,79lei
  • 75 sau mai multe 1,21lei
  • 175 sau mai multe 1,14lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula TSOT26, DIODES INCORPORATED - DMN10H170SVTQ-7

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: TSOT26

Montare: SMD

Putere disipata: 1.2W

Curent drena: 2.3A

Caracteristici
Carcasa TSOT26
Curent drena 2.3A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.2Ω
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 100V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha