-
110,98lei
- Fără TVA:93,26lei
-
- 2 sau mai multe 105,02lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT80N20L
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 200V
Capsula: TO268
Montare: SMD
Putere disipata: 520W
Curent drena: 80A
Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare | linear power mosfet |
Carcasa | TO268 |
Curent drena | 80A |
Incarcatura poarta | 180nC |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 32mΩ |
Subtip ambalaj | tub |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 200V |
Timp de restabilire | 250ns |
Tip produs | Datalogger |