-
87,38lei
- Fără TVA:73,43lei
-
- 2 sau mai multe 59,78lei
- 4 sau mai multe 56,58lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT36N50P
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 500V
Capsula: TO268
Montare: SMD
Putere disipata: 540W
Curent drena: 36A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | standard power mosfet |
| Carcasa | TO268 |
| Curent drena | 36A |
| Incarcatura poarta | 82nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 170mΩ |
| Subtip ambalaj | tub |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 500V |
| Timp de restabilire | 400ns |
| Tip produs | Datalogger |