-
51,51lei
- Fără TVA:42,57lei
-
- 3 sau mai multe 38,36lei
- 6 sau mai multe 36,32lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT30N60P
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 600V
Capsula: TO268
Montare: SMD
Putere disipata: 540W
Curent drena: 30A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | standard power mosfet |
| Carcasa | TO268 |
| Curent drena | 30A |
| Incarcatura poarta | 82nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 240mΩ |
| Subtip ambalaj | tub |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 600V |
| Timp de restabilire | 500ns |
| Tip produs | Datalogger |