Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT110N10P
- Producător Ixys
- Cod produs:T123669
-
47,45lei
- Fără TVA:39,88lei
-
- 3 sau mai multe 38,47lei
- 6 sau mai multe 36,41lei
- 30 sau mai multe 35,12lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT110N10P
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: TO268
Montare: SMD
Putere disipata: 480W
Curent drena: 110A
Caracteristici
Carcasa | TO268 |
Curent drena | 110A |
Incarcatura poarta | 110nC |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 15mΩ |
Subtip ambalaj | tub |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 100V |
Tensiune poarta-sursa | ±20V |
Timp de restabilire | 130ns |
Tip produs | Datalogger |