Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT110N10P

  • Producător Ixys
  • Cod produs:T123669
Distribuie
  • 47,45lei

  • Fără TVA:39,88lei

  • 3 sau mai multe 38,47lei
  • 6 sau mai multe 36,41lei
  • 30 sau mai multe 35,12lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT110N10P

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: TO268

Montare: SMD

Putere disipata: 480W

Curent drena: 110A

Caracteristici
Carcasa TO268
Curent drena 110A
Incarcatura poarta 110nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 15mΩ
Subtip ambalaj tub
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 100V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Timp de restabilire 130ns
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha