Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT110N10P
- Producător Ixys
- Cod produs:T123669
-
51,97lei
- Fără TVA:42,95lei
-
- 3 sau mai multe 40,04lei
- 6 sau mai multe 37,90lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT110N10P
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: TO268
Montare: SMD
Putere disipata: 480W
Curent drena: 110A
Caracteristici
| Carcasa | TO268 |
| Curent drena | 110A |
| Incarcatura poarta | 110nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 15mΩ |
| Subtip ambalaj | tub |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 100V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Timp de restabilire | 130ns |
| Tip produs | Datalogger |
