Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT110N10L2
- Producător Ixys
- Cod produs:T123668
-
107,54lei
- Fără TVA:90,37lei
-
- 2 sau mai multe 101,79lei
- 25 sau mai multe 101,77lei
- 510 sau mai multe 96,04lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT110N10L2
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: TO268
Montare: SMD
Putere disipata: 600W
Curent drena: 110A
Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare | linear power mosfet |
Carcasa | TO268 |
Curent drena | 110A |
Incarcatura poarta | 260nC |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 18mΩ |
Subtip ambalaj | tub |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 100V |
Timp de restabilire | 230ns |
Tip produs | Datalogger |