Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT110N10L2

  • Producător Ixys
  • Cod produs:T123668
Distribuie
  • 107,54lei

  • Fără TVA:90,37lei

  • 2 sau mai multe 101,79lei
  • 25 sau mai multe 101,77lei
  • 510 sau mai multe 96,04lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT110N10L2

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: TO268

Montare: SMD

Putere disipata: 600W

Curent drena: 110A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare linear power mosfet
Carcasa TO268
Curent drena 110A
Incarcatura poarta 260nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 18mΩ
Subtip ambalaj tub
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 100V
Timp de restabilire 230ns
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha