Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT10N100D2

  • Producător Ixys
  • Cod produs:T123667
Distribuie
  • 93,31lei

  • Fără TVA:78,41lei

  • 3 sau mai multe 88,31lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula TO268, IXYS - IXTT10N100D2

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 1kV

Capsula: TO268

Montare: SMD

Putere disipata: 695W

Curent drena: 10A

Caracteristici
Carcasa TO268
Curent drena 10A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 1.5Ω
Subtip ambalaj tub
Subtip canal sărăcit
Tensiune drena-sursa 1kV
Timp de restabilire 70ns
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha