Tranzistor N-MOSFET, capsula TO263, IXYS - IXTA60N20T

  • Producător Ixys
  • Cod produs:T123648
Distribuie
  • 34,71lei

  • Fără TVA:29,17lei

  • 3 sau mai multe 30,65lei
  • 4 sau mai multe 23,70lei
  • 9 sau mai multe 22,42lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (14 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula TO263, IXYS - IXTA60N20T

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 200V

Capsula: TO263

Montare: SMD

Putere disipata: 500W

Curent drena: 60A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare thrench gate power mosfet
Carcasa TO263
Curent drena 60A
Incarcatura poarta 73nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 40mΩ
Subtip ambalaj tub
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 200V
Timp de restabilire 118ns
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha