-
13,96lei
- Fără TVA:11,73lei
-
- 3 sau mai multe 12,47lei
- 9 sau mai multe 10,12lei
- 21 sau mai multe 9,57lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO263, IXYS - IXTA60N10T
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 100V
Capsula: TO263
Montare: SMD
Putere disipata: 176W
Curent drena: 60A
Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare | thrench gate power mosfet |
Carcasa | TO263 |
Curent drena | 60A |
Incarcatura poarta | 49nC |
Nivel dificultate | Avansat |
Polarizare | unipolar |
Rezistenţa in timpul funcţionarii | 18mΩ |
Subtip ambalaj | tub |
Subtip canal | îmbogăţit |
Tensiune drena-sursa | 100V |
Timp de restabilire | 59ns |
Tip produs | Datalogger |