-
29,04lei
- Fără TVA:24,00lei
-
- 3 sau mai multe 26,11lei
- 5 sau mai multe 20,14lei
- 12 sau mai multe 19,07lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO263, IXYS - IXTA3N100P
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 1kV
Capsula: TO263
Montare: SMD
Putere disipata: 125W
Curent drena: 3A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | standard power mosfet |
| Carcasa | TO263 |
| Curent drena | 3A |
| Incarcatura poarta | 36nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Subtip ambalaj | tub |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 1kV |
| Timp de restabilire | 820ns |
| Tip produs | Datalogger |