Tranzistor N-MOSFET, capsula TO263, IXYS - IXTA1R6N100D2

  • Producător Ixys
  • Cod produs:T123609
Distribuie
  • 32,81lei

  • Fără TVA:27,57lei

  • 8 sau mai multe 12,88lei
  • 17 sau mai multe 12,19lei
  • 1000 sau mai multe 12,16lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula TO263, IXYS - IXTA1R6N100D2

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 1kV

Capsula: TO263

Montare: SMD

Putere disipata: 100W

Curent drena: 1.6A

Caracteristici
Carcasa TO263
Curent drena 1.6A
Incarcatura poarta 645nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 10Ω
Subtip ambalaj tub
Subtip canal sărăcit
Tensiune drena-sursa 1kV
Tensiune poarta-sursa ±20V
Timp de restabilire 11ns
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha