Tranzistor N-MOSFET, capsula TO263, IXYS - IXTA1R4N120P
- Producător Ixys
- Cod produs:T123608
-
40,11lei
- Fără TVA:33,15lei
-
- 3 sau mai multe 35,55lei
- 4 sau mai multe 24,49lei
- 10 sau mai multe 23,19lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO263, IXYS - IXTA1R4N120P
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 1.2kV
Capsula: TO263
Montare: SMD
Putere disipata: 86W
Curent drena: 1.4A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | standard power mosfet |
| Carcasa | TO263 |
| Curent de drena in impuls | 3A |
| Curent drena | 1.4A |
| Incarcatura poarta | 24.8nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 13Ω |
| Subtip ambalaj | tub |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 1.2kV |
| Tensiune poarta-sursa | ±30V |
| Timp de restabilire | 900ns |
| Tip produs | Datalogger |