Tranzistor N-MOSFET, capsula TO263HV, IXYS - IXTA3N120HV

  • Producător Ixys
  • Cod produs:T123635
Distribuie
  • 51,02lei

  • Fără TVA:42,87lei

  • 3 sau mai multe 35,96lei
  • 6 sau mai multe 34,04lei
  • 500 sau mai multe 32,15lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula TO263HV, IXYS - IXTA3N120HV

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 1.2kV

Capsula: TO263HV

Montare: SMD

Putere disipata: 200W

Curent drena: 3A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare standard power mosfet
Carcasa TO263HV
Curent drena 3A
Incarcatura poarta 42nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Subtip ambalaj tub
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 1.2kV
Timp de restabilire 700ns
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha