Tranzistor N-MOSFET, capsula TO252, IXYS - IXTY1R4N120P
- Producător Ixys
- Cod produs:T123724
-
22,43lei
- Fără TVA:18,85lei
-
- 5 sau mai multe 20,20lei
- 6 sau mai multe 16,40lei
- 13 sau mai multe 15,50lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula TO252, IXYS - IXTY1R4N120P
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 1.2kV
Capsula: TO252
Montare: SMD
Putere disipata: 86W
Curent drena: 1.4A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | standard power mosfet |
| Carcasa | TO252 |
| Curent de drena in impuls | 3A |
| Curent drena | 1.4A |
| Incarcatura poarta | 24.8nC |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 13Ω |
| Subtip ambalaj | tub |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 1.2kV |
| Tensiune poarta-sursa | ±30V |
| Timp de restabilire | 900ns |
| Tip produs | Datalogger |