Tranzistor N-MOSFET, capsula TO252, DIODES INCORPORATED - ZXMN10A11KTC

Distribuie
  • 5,20lei

  • Fără TVA:4,37lei

  • 5 sau mai multe 2,66lei
  • 25 sau mai multe 2,35lei
  • 43 sau mai multe 2,14lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula TO252, DIODES INCORPORATED - ZXMN10A11KTC

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: TO252

Montare: SMD

Putere disipata: 4.06W

Curent drena: 3.1A

Caracteristici
Carcasa TO252
Curent drena 3.1A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.45Ω
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 100V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha