Tranzistor N-MOSFET, capsula SuperSOT-6, ON SEMICONDUCTOR - FDC8878

Distribuie
  • 0,00lei

  • Fără TVA:0,00lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula SuperSOT-6, ON SEMICONDUCTOR - FDC8878

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 30V

Capsula: SuperSOT-6

Montare: SMD

Putere disipata: 1.6W

Curent drena: 8A

Caracteristici
Carcasa SuperSOT-6
Curent drena 8A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 21mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 30V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha