Tranzistor N-MOSFET, capsula SuperSOT-3, ON SEMICONDUCTOR - FDN359BN

Distribuie
  • 3,49lei

  • Fără TVA:2,93lei

  • 10 sau mai multe 2,34lei
  • 50 sau mai multe 2,00lei
  • 87 sau mai multe 1,04lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula SuperSOT-3, ON SEMICONDUCTOR - FDN359BN

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 30V

Capsula: SuperSOT-3

Montare: SMD

Putere disipata: 0.5W

Curent drena: 2.7A

Caracteristici
Carcasa SuperSOT-3
Curent drena 2.7A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 75mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 30V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha