Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT563-6, ON SEMICONDUCTOR - NTZD5110NT1G
- Producător ON Semiconductor
- Cod produs:T123835
-
1,35lei
- Fără TVA:1,14lei
-
- 25 sau mai multe 0,73lei
- 100 sau mai multe 0,65lei
- 155 sau mai multe 0,59lei
- Disponibilitate:Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT563-6, ON SEMICONDUCTOR - NTZD5110NT1G
Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET
Tensiune drena-sursa: 60V
Capsula: SOT563-6
Montare: SMD
Putere disipata: 0.28W
Curent drena: 0.225A
Caracteristici
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate |
| Carcasa | SOT563-6 |
| Curent drena | 0.225A |
| Nivel dificultate | Avansat |
| Polarizare | unipolar |
| Rezistenţa in timpul funcţionarii | 1.6Ω |
| Subtip canal | îmbogăţit |
| Tensiune drena-sursa | 60V |
| Tensiune poarta-sursa | ±20V |
| Tip produs | Datalogger |