Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT523, DIODES INCORPORATED - DMG1012TQ-7

Distribuie
  • 1,34lei

  • Fără TVA:1,12lei

  • 5 sau mai multe 1,04lei
  • 10 sau mai multe 0,88lei
  • 50 sau mai multe 0,60lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2990 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT523, DIODES INCORPORATED - DMG1012TQ-7

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 20V

Capsula: SOT523

Montare: SMD

Putere disipata: 0.28W

Curent drena: 0.45A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa SOT523
Curent drena 0.45A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.3Ω
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 20V
Tensiune poarta-sursa ±6V
Tip produs Tranzistor

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha