Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT363, ON SEMICONDUCTOR - NVTJD4001NT1G

Distribuie
  • 2,23lei

  • Fără TVA:1,87lei

  • 3 sau mai multe 1,91lei
  • 10 sau mai multe 1,66lei
  • 25 sau mai multe 1,05lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (2910 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT363, ON SEMICONDUCTOR - NVTJD4001NT1G

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 30V

Capsula: SOT363

Montare: SMD

Putere disipata: 0.272W

Curent drena: 0.18A

Caracteristici
Carcasa SOT363
Curent drena 0.18A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 1.5Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 30V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha