Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT323, DIODES INCORPORATED - DMN63D8LW-13

Distribuie
  • 1,49lei

  • Fără TVA:1,25lei

  • 5 sau mai multe 1,02lei
  • 10 sau mai multe 0,83lei
  • 50 sau mai multe 0,51lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT323, DIODES INCORPORATED - DMN63D8LW-13

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 30V

Capsula: SOT323

Montare: SMD

Putere disipata: 0.3W

Curent drena: 0.33A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa SOT323
Curent drena 0.33A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 3.8Ω
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 30V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha