Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT323, DIODES INCORPORATED - DMN3067LW-7

Distribuie
  • 2,45lei

  • Fără TVA:2,06lei

  • 5 sau mai multe 1,83lei
  • 25 sau mai multe 1,14lei
  • 50 sau mai multe 0,93lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (1870 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT323, DIODES INCORPORATED - DMN3067LW-7

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 30V

Capsula: SOT323

Montare: SMD

Putere disipata: 0.5W

Curent drena: 2.1A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa SOT323
Curent de drena in impuls 10A
Curent drena 2.1A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.067Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 30V
Tensiune poarta-sursa ±12V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha