Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT26, DIODES INCORPORATED - ZXMN10B08E6TA

Distribuie
  • 6,83lei

  • Fără TVA:5,74lei

  • 10 sau mai multe 4,62lei
  • 38 sau mai multe 2,41lei
  • 88 sau mai multe 2,28lei
  • Disponibilitate:În stoc (3-4 zile) (392 buc.)

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT26, DIODES INCORPORATED - ZXMN10B08E6TA

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: SOT26

Montare: SMD

Putere disipata: 1.1W

Curent drena: 1.5A

Caracteristici
Carcasa SOT26
Curent drena 1.5A
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 0.5Ω
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 100V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha