Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, YANGJIE TECHNOLOGY - YJL3416A

Distribuie
  • 0,63lei

  • Fără TVA:0,53lei

  • 100 sau mai multe 0,28lei
  • 405 sau mai multe 0,21lei
  • 935 sau mai multe 0,19lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, YANGJIE TECHNOLOGY - YJL3416A

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 20V

Capsula: SOT23

Montare: SMD

Putere disipata: 1.3W

Curent drena: 5.6A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa SOT23
Curent de drena in impuls 25A
Curent drena 5.6A
Incarcatura poarta 8.1nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 39mΩ
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 20V
Tensiune poarta-sursa ±12V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha