Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, YANGJIE TECHNOLOGY - BSS123

Distribuie
  • 0,25lei

  • Fără TVA:0,21lei

  • 100 sau mai multe 0,11lei
  • 500 sau mai multe 0,10lei
  • 1175 sau mai multe 0,08lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, YANGJIE TECHNOLOGY - BSS123

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 100V

Capsula: SOT23

Montare: SMD

Putere disipata: 0.35W

Curent drena: 0.16A

Caracteristici
Carcasa SOT23
Curent de drena in impuls 0.8A
Curent drena 0.16A
Incarcatura poarta 2.5nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii 5.5Ω
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 100V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha