Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, YANGJIE TECHNOLOGY - 2N7002K

Distribuie
  • 0,26lei

  • Fără TVA:0,22lei

  • 100 sau mai multe 0,09lei
  • 490 sau mai multe 0,07lei
  • 2840 sau mai multe 0,07lei
  • Disponibilitate:Stoc epuizat

Tranzistor N-MOSFET, capsula SOT23, YANGJIE TECHNOLOGY - 2N7002K

Tip tranzistor: unipolar, N-MOSFET

Tensiune drena-sursa: 60V

Capsula: SOT23

Montare: SMD

Putere disipata: 0.35W

Curent drena: 0.272A

Caracteristici
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Carcasa SOT23
Curent de drena in impuls 1.5A
Curent drena 0.272A
Incarcatura poarta 2.4nC
Nivel dificultate Avansat
Polarizare unipolar
Rezistenţa in timpul funcţionarii
Subtip ambalaj bandă, rolă
Subtip canal îmbogăţit
Tensiune drena-sursa 60V
Tensiune poarta-sursa ±20V
Tip produs Datalogger

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
   Rău           Bun
Captcha